光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一 |
| 发表日期 | 2005-09-16 |
| 专利号 | JP3719467B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成される半導体装置、あるいは半導体発光装置の低駆動電圧化を実現する。低動作電圧の光情報処理装置を実現する。 【構成】少なくとも窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成されるpn接合部を少なくとも有し、このpn接合は印加電圧に対して逆接合となり、且つこのpn接合の界面に禁制対幅が実質的に零なるIII-V族化合物半導体層を有する半導体装置。 【効果】低駆動電圧の半導体装置、半導体発光装置を実現出来る。更に、複数の半導体装置を所定位置に配置、例えば直列に形成することも可能となる。低動作電圧の光情報処理装置を実現出来る。 |
| 公开日期 | 2005-11-24 |
| 申请日期 | 1997-05-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74194]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一. 光半導体装置. JP3719467B2. 2005-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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