半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 有元 洋志; 坪田 孝志 |
| 发表日期 | 1993-09-28 |
| 专利号 | JP1993251822A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 面方位性の違いによる選択成長性をうまく利用して活性層の埋め込みを行い、活性層の両端に、光閉じ込め導波路を形成した、低閾値電流を達成でき、電流の注入効率が良く、リーク電流が少ない高効率、高出力の半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 p-InP基板21上に、n-InPブロック層22、p-InPブロック層23を順次液相成長させ、塩酸系エッチャントによるエッチングでV溝を形成し、そのV溝の下部に厚いP型InPクラッド層24、薄いP型のInGaAsP層25、薄いP型のInGaAsP活性層26、薄いN型のInGaAsP層27、厚いN型InPクラッド層28を順次液相成長させて、前記V溝を埋める。 |
| 公开日期 | 1993-09-28 |
| 申请日期 | 1991-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74196]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 有元 洋志,坪田 孝志. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993251822A. 1993-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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