窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐野 雅彦; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1999-11-09 |
| 专利号 | JP1999312841A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体レーザ素子を高出力で使用するために、レーザ素子の閾値を低下させる。 【構成】 第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板の第1の主面上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層とが順に積層され、p型窒化物半導体層側にp電極が形成され、窒化物半導体基板の第2の主面側にn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であり、前記p型窒化物半導体層には、p側クラッド層とそのp側クラッド層の上にp側コンタクト層とを有し、さらにp側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記p側クラッド層の膜厚方向において、下端面からp側コンタクト層方向0.2μmよりも基板側にある。 |
| 公开日期 | 1999-11-09 |
| 申请日期 | 1998-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74200]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野 雅彦,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP1999312841A. 1999-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。