半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 晃広 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001015864A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電流が低く信頼性が高い高出力の端面窓型半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】 共振器端面およびその近傍の活性層無秩序化領域14上にn型端面電流阻止層7を形成する。n型下クラッド層2、p型第1上クラッド層4、n型端面電流阻止層7、p型第2上クラッド層6の順に極性が交互に異なる複数の半導体層が配置されるので、窓領域に流れる無効電流が抑制されて動作電流が低減し、さらに、窓領域の無効電流による発熱が抑制されて結晶劣化が生じ難くなり、高出力動作時の信頼性が向上する。端面電流阻止層7から窓領域までの距離(層厚方向)は第1上クラッド層4の層厚にほぼ等しくなり、その層厚が比較的薄いので、電流阻止部から窓領域に流れる無効電流が十分に抑制される。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74210]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 晃広. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2001015864A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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