半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 速水 一行; 関井 宏; 渡辺 秀明 |
| 发表日期 | 1993-01-22 |
| 专利号 | JP1993013813A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄構造の半導体発光素子において、電流通路領域を形成するための拡散工程において、拡散深さの制御を容易にする。 【構成】 n-GaAs基板1の上にn-AlGaAs下部クラッド層2、GaAs活性層3、p-AlGaAs上部クラッド層4、p-AlGaAs拡散ストップ層5、n-AlGaAs電流阻止層6及びp-AlGaAsキャップ層7を順次成長させた後、p-AlGaAsキャップ層7からp-AlGaAs拡散ストップ層5までZnを拡散させ、p-Zn拡散領域(電流通過領域)10を形成する。ここで、拡散ストップ層5の拡散レートは、電流阻止層6よりも小さくしてある。ついで、キャップ層7上にp側電極8を形成し、基板1の下面にn側電極9を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-01-22 |
| 申请日期 | 1991-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74221]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 速水 一行,関井 宏,渡辺 秀明. 半導体発光素子. JP1993013813A. 1993-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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