半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 上手 清嗣; 森戸 健 |
| 发表日期 | 1996-12-17 |
| 专利号 | JP1996335745A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光装置に関し、周波数特性あるいは伝送特性が良好な半導体発光装置を提供する。 【構成】 InP基板11の上に、n-InGaAsPガイド層12、MQW活性層131 、MQW吸収層132 、p-InGaAsP吸収層14、p-InPクラッド層15、p-InGaAsPコンタクト層16を成長し、半絶縁性InP埋込層17によって分離した半導体発光装置において、DFBレーザ部Aと変調器部Cの間の分離部Bに、Zn、Cu、プロトン、Feのいずれかを注入することによって、光導波路部に到達する非発光再結合中心を有する構成とする。この場合、変調器部CがMQW構造(MQW吸収層132 )を有し、DFBレーザ部Aと変調器部Cの間にある分離部BのMQW構造がディスオーダリングされて吸収波長帯が短波長化されている構成とすることができる。 |
| 公开日期 | 1996-12-17 |
| 申请日期 | 1995-06-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74225]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上手 清嗣,森戸 健. 半導体発光装置. JP1996335745A. 1996-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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