半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 瀧本 真恵; 田中 俊明; 柳澤 浩徳 |
| 发表日期 | 1995-04-25 |
| 专利号 | JP1995111367A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【構成】引張又は圧縮歪を導入した歪単一あるいは歪多重量子井戸構造活性層を有した半導体レ-ザにおいて、歪量子井戸構造を低閾値動作に向けて最適化するとともに、導入する格子歪の符号や歪量さらに量子井戸幅に応じて、素子の共振器長や端面反射率を設定して偏波強度を大きくする。 【効果】歪多重量子井戸構造レ-ザでは、室温における相対偏波強度比(ITM-ITE/ITM+ITE)は共振器長が短くなるにつれて相対偏波強度が強くなり、共振器長200μmの素子で相対強度比は0.9〜0.95の高い値が得られた。 |
| 公开日期 | 1995-04-25 |
| 申请日期 | 1993-10-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74237]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧本 真恵,田中 俊明,柳澤 浩徳. 半導体レーザ素子. JP1995111367A. 1995-04-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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