半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 関 章憲; 細羽 弘之; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏; 松井 完益 |
| 发表日期 | 1997-11-21 |
| 专利号 | JP2721274B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To obtain an internally trapped type semiconductor laser element which is low in threshold current, simple in manufacturing processes, and high in manufacturing yield taking advantage of the growth characteristics of an MBE method. CONSTITUTION:A multi-channel structure 10 composed of grooves 3 (triangular prism-shaped, trapezoidal prism-shaped) possessed of facets of (n11) (where, n=1-5) is formed on both the sides of a stripe-like current path 11 respectively excluding the stripe-like current path 11 on a compound semiconductor substrate 1 provided with a (100) plane. A crystal is made to grow on this substrate through a molecular beam epitaxial method, whereby a current constriction layer 2 is formed above the channel structure 10. |
| 公开日期 | 1998-03-04 |
| 申请日期 | 1991-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74239]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 関 章憲,細羽 弘之,幡 俊雄,等. 半導体レーザ素子. JP2721274B2. 1997-11-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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