半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 柳澤 浩徳 |
| 发表日期 | 1995-05-12 |
| 专利号 | JP1995122811A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】閾値電流の低減及び高温動作を図って改善することにある。 【構成】半導体基板上に設けた禁制帯幅の大きな光導波層に挾まれた量子井戸層構造の活性層において、前記量子井戸層の構成元素に対して前記半導体基板とは格子整合しない組成を用いることにより引張応力或いは圧縮応力を生じる格子歪を導入するが、歪量子井戸層に対して格子歪を一様に導入するのではなく、周期的に或いは不規則に超格子構造として変調して前記量子井戸層内にポテンシャル井戸を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-05-12 |
| 申请日期 | 1993-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74249]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,柳澤 浩徳. 半導体レーザ素子. JP1995122811A. 1995-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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