半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 内田 憲治; 渡辺 明禎; 赤松 正一; 皆川 重量 |
| 发表日期 | 1997-01-10 |
| 专利号 | JP1997008395A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明の目的は、特にこれまで導波路や共振器の形成が困難であったNitride材料において、半導体レーザに適する導波路共振構造を形成することにより、青紫色波長領域のレーザ動作を実現させることにある。 【構成】絶縁膜マスクパターン4を形成して、選択成長技術により、(0001)C面を有するサファイア基板1上にAlGaInN材料からなる導波路共振構造を作製する。このとき、導波路側面は、基板に対して垂直な平滑面にでき、発光活性層を光導波層に埋め込んだ形であるBH構造を構成できる。Nitride材料からなる導波路はサファイア基板の(11-20)A面に平行な方向に形成しておき、電極9,10を蒸着した後、基板の(11-20)A面に対して垂直な方向に劈開して素子を得る。 【効果】本発明によれば、電流注入により410〜430nmの波長範囲でレーザ発振を実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-01-10 |
| 申请日期 | 1995-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,内田 憲治,渡辺 明禎,等. 半導体レーザ素子. JP1997008395A. 1997-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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