半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 斎藤 徹; 久保 実; 横川 俊哉; 成沢 忠 |
| 发表日期 | 1993-01-22 |
| 专利号 | JP1993013873A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 導波損失を低減してレーザ発振を容易に行わせることができる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 ZnS単結晶基板(クラッド層)101の上にZnS0.1 Se0.9 光導波層102を積層形成し、さらにその上にZnSe発光·光導波層103を積層形成する。そして、このZnSe発光·光導波層103に電子線を照射することによりレーザ光を得る。つまり、電子線照射によってZnSe発光·光導波層103で発生した光は、ZnSe発光·光導波層103およびZnS0.1 Se0.9 光導波層102を導波し、ZnS単結晶基板101,ZnS0.1 Se0.9 光導波層102,ZnSe発光·光導波層103およびへき開端面104で構成される共振器で共振し、レーザ光106が出射する。 |
| 公开日期 | 1993-01-22 |
| 申请日期 | 1991-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74263]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斎藤 徹,久保 実,横川 俊哉,等. 半導体レーザ装置. JP1993013873A. 1993-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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