半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 理砂 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232629A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 六方晶型(ウルツ鉱型)半導体素子、例えばGaN系材料を用いた青色半導体レーザにおいて、転位伝播阻止による長寿命化、信頼性の向上を可能にする。 【解決手段】 六方晶型の半導体からなる素子部を有する半導体素子において、成長基板と六方晶型の半導体からなる素子部との間に{111}成長面を有する立方晶型の歪超格子を設ける。これにより、半導体素子、特にGaN系青色半導体レーザにおいて、素子心臓部である活性層への転位伝播を抑制でき、素子の長寿命化、高信頼性化を実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74281]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 理砂. 半導体素子. JP1997232629A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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