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半導体レーザ

文献类型:专利

作者野間 亜樹; 村山 実; 内田 智士; 石川 努
发表日期2009-06-04
专利号JP2009124045A
著作权人ローム株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】動作電流が低く、高温出力時においても安定して発振する半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板10と、基板10上に設けられたn型クラッド層12と、n型クラッド層12上に設けられた活性層13と、活性層13上に設けられたAlを含有する化合物であり、電流通路となるストライプ状のリッジ構造を有するp型クラッド層14と、リッジ構造の上面を除くp型クラッド層14の表面に設けられたAlを含有する化合物であり、Alの組成比がp型クラッド層14のAlの組成比以下である電流ブロック層16と、電流ブロック層16上に設けられ、レーザ発振波長に対して光を吸収する光吸収層17とを備える。 【選択図】図1
公开日期2009-06-04
申请日期2007-11-16
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74285]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ローム株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
野間 亜樹,村山 実,内田 智士,等. 半導体レーザ. JP2009124045A. 2009-06-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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