光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之; 小林 宏彦; 石川 務 |
| 发表日期 | 1998-05-06 |
| 专利号 | JP1998117045A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体素子に関し、n型半導体基板と高抵抗埋込層との間の光吸収に起因する屈折率差の光の強度分布に与える影響を低減する。 【解決手段】 共振器内に、光を導波するための一層以上からなるコア層2のサイズが光の出射端面5に向かって連続的に減少しているテーパ導波路部をn型半導体基板1上に集積化し、少なくともコア層2の両側面を高抵抗半導体層4に接すると共に、n型半導体基板1と高抵抗半導体層4との境界面の内、少なくとも出射端面5におけるn型半導体基板1の主面と略平行な部分とコア層2の下端との距離を2μm以上とする。 |
| 公开日期 | 1998-05-06 |
| 申请日期 | 1996-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之,小林 宏彦,石川 務. 光半導体素子. JP1998117045A. 1998-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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