半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1996-05-07 |
| 专利号 | JP1996116133A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】リッジ埋め込み型半導体レーザにおいて、リッジの両側面に結晶不良部が無いことによって、発光特性が良いレーザ素子を歩留り良く提供する。 【構成】第一導電型の(100) 面のGaAs基板1上に第一導電型のAlX Ga1-X Asからなる第一クラッド層2 、Al YGa1-YAs からなる活性層3 , 第二導電型のAlX Ga1-X Asからなる下部第二クラッド層51、Al ZGa1-ZAs からなるエッチングストップ層6 、第二導電型のAlX Ga1-X Ass からなる中部第二クラッド層52、AlAGa1-A As(ZX Ga1-X Asからなる上部第二クラッド層54、および第二導電型のGaAsからなるコンタクト層7 が順次積層され、エッチングストップ層より後で積層された層をアンモニア系のエッチング液を用いてエッチングし、第二クラッド層のコンタクト層に隣接するリッジ側面とコンタクト層下面とが鈍角をなす。リッジの両側は第一導電型のGaAsからなる電流阻止層10によって埋められている。 |
| 公开日期 | 1996-05-07 |
| 申请日期 | 1994-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74292]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1996116133A. 1996-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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