面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 高岡 圭児; 石川 正行 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196189A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】垂直共振器型の面発光型半導体レーザでは、活性領域に電流を均一に注入できてかつ、放熱性に優れた素子構造を同時に実現するのが困難である。 【解決手段】活性領域と基板表側のDBR ミラーとの間に透明電極を設けるとともに、DBR ミラーに熱抵抗の小さい半導体多層膜を利用することにより、活性領域に均一に電流を注入できてかつ放熱性にも優れた構造とすることができる。これにより、低しきい値でかつ温度特性の優れた素子を得ることができる。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74302]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高岡 圭児,石川 正行. 面発光型半導体レーザ. JP2000196189A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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