半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 富田 章久 |
| 发表日期 | 1997-10-03 |
| 专利号 | JP1997260769A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 電子の閉じ込めの良好な歪み量子井戸を構造を実現し、低しきい値電流の赤色半導体レーザを提供することにある。 【構成】 格子定数が0.565nmと0.56nmの間にある基板11を用い、基板の格子定数よりも大きな格子定数をもつGaInP混晶を井戸層141とし、基板の格子定数よりも小さな格子定数をもつAlGaInP混晶を障壁層142とした量子井戸構造を活性層14とする。 |
| 公开日期 | 1997-10-03 |
| 申请日期 | 1996-03-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74306]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 富田 章久. 半導体レーザ. JP1997260769A. 1997-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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