半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺門 知二 |
| 发表日期 | 1994-03-04 |
| 专利号 | JP1994061587A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 耐環境性能に優れた高性能な半導体レーザを低価格で大量に作製する。 【構成】 n-InPからなる半導体基板1の(100)面上に形成された〈011〉方向の2本のストライプマスク2を選択マスクとして用い、有機金属気相成長法で活性層ストライプ13を形成する。ストライプマスク2除去し、埋め込み成長を行う。活性層ストライプ13の上部に選択的に不純物拡散を行い電流狭搾構造を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-03-04 |
| 申请日期 | 1992-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74331]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺門 知二. 半導体レーザの製造方法. JP1994061587A. 1994-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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