镍合金中内氧化物生长界面结构的AP-FIM研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 任大刚 ; 范学书 |
| 出版日期 | 1999-03-30 |
| 会议名称 | 第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会 |
| 会议日期 | 1999-03-30 |
| 会议地点 | 北京 |
| 关键词 | 合金内氧化 界面结构 镍合金 |
| 中文摘要 | 本文提出应用场离子显微镜原子探针（AP-FIM）技术研究Ni-Cr-Si合金中内氧化物生长的界面结构。这技术很适合于研究合金中原子分布及氧化物与合金之间的界面结构，并具有原子尺度的分辨。AP深度剖析表明在合金中Si和Cr原子的分布比较均匀，而Ni原子分布有某些起伏。在低镍浓度区存在氧化物界面。界面包含CrO，NiO，CrO＜，2＞和NiO＜，2＞等。从此可推论合金内氧化的机理，首先氧分子被吸附到合金表面，分解成氧原子（O2→2O），然后氧原子通过晶界扩散到合金内部形成氧化物（M+O→MO），如果氧的浓度继续增加，便形成二氧化物（MO+O→MO＜，2＞）。 |
| 会议主办者 | 中国电子学会;中国真空学会 |
| 会议录 | 第七届中国真空电子学与场致发射学术年会
 |
| 会议录出版者 | 中国电子学会 |
| 会议录出版地 | 北京 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/69584]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任大刚,范学书. 镍合金中内氧化物生长界面结构的AP-FIM研究[C]. 见:第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会. 北京. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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