Semiconductor light emitting device
文献类型：专利
| 作者 | OKUYAMA, HIROYUKI; AKIMOTO, KATSUHIRO |
| 发表日期 | 1994-12-20 |
| 专利号 | US5375134 |
| 著作权人 | SONY CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting device |
| 英文摘要 | A semiconductor laser has a first cladding layer of a first conductivity type, an active layer, and a second cladding layer of a second conductivity type, which are successively deposited on a semiconductor substrate by epitaxial growth. The first cladding layer and/or the second cladding layer is made of a compound semiconductor material of a zincblende crystal structure containing Mg. |
| 公开日期 | 1994-12-20 |
| 申请日期 | 1994-04-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74343]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OKUYAMA, HIROYUKI,AKIMOTO, KATSUHIRO. Semiconductor light emitting device. US5375134. 1994-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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