半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 股木 宏至; 内田 智士; 崎山 肇 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291688A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 寿命が長く信頼性に優れ、かつ生産性を向上させることができる半導体レーザを提供する。 【構成】 ストライプ構造を有する活性層24と該活性層を挟んでなるクラッド層によって構成される半導体レーザ。活性層には少なくとも1層の量子井戸層24bが導入されており、かつ、活性層は少なくとも2つの異なる幅を有するストライプを連結している。また、出射されるレーザ光のコヒーレンシーの尺度となる明瞭度の減衰比は0.5 以下である。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74347]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 股木 宏至,内田 智士,崎山 肇. 半導体レーザ. JP1993291688A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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