半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 良治 |
| 发表日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1996316583A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】従来素子に比べてTE/TMの偏光度を大幅に向上させ、偏光子を用いずにTEモードに偏光した光を発光するシステムを構成できるようにする。
【構成】半導体光素子は、活性なる光導波路を有し、光導波路の少なくとも一部が圧縮型の歪量子井戸層を含む歪量子井戸構造で構成される。光導波路の一方の端部に窓構造が形成される。窓構造を構成する材料の伝導帯9と重い正孔帯10間のバンドギャップE(w)hhと、伝導帯9と軽い正孔帯11間のバンドギャップE(w)lhとが、圧縮型歪量子井戸層の量子化された伝導帯2と重い正孔帯4間のバンドギャップE(a)hhと、伝導帯2と軽い正孔帯6間のバンドギャップE(a)lhとに対し、E(a)hh |
| 公开日期 | 1996-11-29 |
| 申请日期 | 1995-05-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 良治. 半導体光素子. JP1996316583A. 1996-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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