半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 新田 康一; 波多腰 玄一; 岡島 正季 |
| 发表日期 | 1995-07-28 |
| 专利号 | JP1995193320A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】TE偏光/TM偏光比の大きな半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】n型InGaAlPクラッド層13とp型InGaAlPクラッド層19とで、アンドープInGaP量子井戸層15、アンドープInGaAlP量子井戸層16、アンドープInGaP量子井戸層17からなる量子井戸構造の活性層を挟んでなるダブルへテロ接合構造部と、p型InGaAlPクラッド層19上に設けられ、レーザ発振波長に対して吸収損失を有するAu金属層24とを備えている。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74362]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 康一,波多腰 玄一,岡島 正季. 半導体レーザ装置. JP1995193320A. 1995-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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