半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 稲葉 雄一; 石野 正人; 大塚 信之; 鬼頭 雅弘 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242577A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値の小さい半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 p-InP基板101上に絶縁膜マスク102を形成する。p-InP基板101上に、p-InGaAsP光導波路層104p、厚さ6nmのInGaAsP井戸層103wと厚さ10nmのInGaAsP障壁層103bからなる多重量子井戸活性層103、n-InGaAsP光導波路層104n、さらに第1のn-InPクラッド層106を成長する。この後、第1のクラッド層とは異なる結晶成長条件により、絶縁膜マスク102上にn型InPクラッド層107が形成する。これにより、活性領域105がこのInPクラッド層107によって埋め込まれるため、活性領域105内への光の閉じ込めと電子の閉じ込めが効率よく行われる。活性層103は、幅方向にも、厚み方向にも完全に絶縁膜102の内部に形成しているので、電流は絶縁膜102でブロックされるために、メサ型の埋め込み型レーザと比較しても、リーク電流がなく、しきい値の小さいレーザが得られる。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74364]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲葉 雄一,石野 正人,大塚 信之,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1998242577A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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