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半導体レーザおよびその製造方法

文献类型:专利

作者稲葉 雄一; 石野 正人; 大塚 信之; 鬼頭 雅弘
发表日期1998-09-11
专利号JP1998242577A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザおよびその製造方法
英文摘要【課題】 しきい値の小さい半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 p-InP基板101上に絶縁膜マスク102を形成する。p-InP基板101上に、p-InGaAsP光導波路層104p、厚さ6nmのInGaAsP井戸層103wと厚さ10nmのInGaAsP障壁層103bからなる多重量子井戸活性層103、n-InGaAsP光導波路層104n、さらに第1のn-InPクラッド層106を成長する。この後、第1のクラッド層とは異なる結晶成長条件により、絶縁膜マスク102上にn型InPクラッド層107が形成する。これにより、活性領域105がこのInPクラッド層107によって埋め込まれるため、活性領域105内への光の閉じ込めと電子の閉じ込めが効率よく行われる。活性層103は、幅方向にも、厚み方向にも完全に絶縁膜102の内部に形成しているので、電流は絶縁膜102でブロックされるために、メサ型の埋め込み型レーザと比較しても、リーク電流がなく、しきい値の小さいレーザが得られる。
公开日期1998-09-11
申请日期1997-02-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74364]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
稲葉 雄一,石野 正人,大塚 信之,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1998242577A. 1998-09-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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