半導体レ-ザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 木下 順一; 松山 隆之 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167194A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、位相シフト量の制御性を良くし、縦単一モ-ド発振する歩留まりが高いDFBレ-ザを提供するものである。 【構成】n-InP 基板1上に回折格子2を形成し、n-InGaAsP ガイド層3、InGaAsP 活性層4、p-InP クラッド層5、p-InGaAsP コンタクト層6を結晶成長させる。次に、導波路中央領域の幅を、導波路の片側のみ変化するようなメサ状のストライプを形成する。次に、2回目の結晶成長により、p-InP 埋め込み層9、n-InP 埋め込み層10が形成される。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74410]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木下 順一,松山 隆之. 半導体レ-ザ素子. JP1993167194A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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