半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 和昭 |
| 发表日期 | 1994-05-13 |
| 专利号 | JP1994132604A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 発振波長が850nm以上であり、かつ最高出力が50W以上である半導体レーザを提供する。 【構成】 クラッド層のAl組成をx=0.28 以上として構造の最適化を行なうことにより、半導体レ-ザの発光効率、特性温度の向上を図る。また、クラッド層と光導波路層との間にブロック層を挿入することによって、クラッド層のAl組成を上げる事なく発光効率、特性温度の改善を図る。 【効果】 構造の最適化により、発振波長が850nm以上、最高出力が60Wにもおよぶ量子井戸半導体レ-ザの作製が可能となった。 |
| 公开日期 | 1994-05-13 |
| 申请日期 | 1992-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74420]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 和昭. 半導体レーザ. JP1994132604A. 1994-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。