半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内田 徹 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264882A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 格子緩和層上に形成するレーザの各層の平坦化を図る。 【構成】 1)気相成長法により, III-V 族半導体材料を用いて基板上に組成を徐々に変化させる格子緩和層を形成し,該格子緩和層の上にクラッド層(及び保護層)を第1の成長温度で成長し,次いで, 該クラッド層の上にレーザを構成する各層を成長し,この際少なくとも活性層を該第1の成長温度より高温の第2の成長温度で成長する半導体レーザの製造方法,2)前記クラッド層が,少なくともインジウム,ガリウム,燐を含む,3)前記第1の温度が 600℃以下, 前記第2の温度が 630℃以上である,4)前記保護膜がGaAsからなる。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1995-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74424]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 徹. 半導体レーザの製造方法. JP1996264882A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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