半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 亀田 俊弘; 森 浩; 土屋 富志夫; 永井 治男 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097601A |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】スペクトル線幅の劣化を伴わず導波路の屈折率の絶対量を大きくすることができる半導体光素子を提供することを目的とする。 【構成】活性層と活性層と光結合された導波路とからなる半導体光素子において、導波路の一部を加熱し、加熱された導波路部分と加熱されていない素子の部分を熱的に遮断する構成を採用した。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74428]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 亀田 俊弘,森 浩,土屋 富志夫,等. 半導体光素子. JP1994097601A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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