半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡 崎 治 彦 |
| 发表日期 | 2001-02-23 |
| 专利号 | JP2001053339A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 緑色から赤色領域に至る長波長の発光を確実に得ることができる半導体発光素子と、電流ブロック構造を確実且つ容易に形成することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板に対して大なる格子定数を有する半導体層と小なる格子定数を有する半導体層とを積層させた発光層を用いることによって基板と発光層との間の格子定数の「ずれ」を緩和させることができる。この時に、各層の膜厚を電子のド·ブロイ波の波長程度、あるいは「臨界膜厚」以下とすれば、結晶欠陥を発生させることなく各層に圧縮応力を印加してその格子定数を基板のそれに近づけることができる。また、p側電極の形成領域の一部にn側電極材料を含む領域を形成してアニール処理を施すと、これらの電極金属が反応して接触抵抗の高い領域が形成される。 |
| 公开日期 | 2001-02-23 |
| 申请日期 | 1999-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74457]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 崎 治 彦. 半導体発光素子およびその製造方法. JP2001053339A. 2001-02-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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