分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 柿本 昇一 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299772A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 得られるレーザ光の波長単一性が向上した分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 活性層であるInGaAsP層2の上部に配設される上クラッド層を該InGaAsP層2の上面に配設したn型InP層3と、該n型InP層3の上面に配設したInGaAsP層2とバンドギャップエネルギー(波長3μmに相当)が等しく、且つp型領域(InGaAsP層4)とn型領域(InGaAsP層4a)とが交互に周期的に形成されたInGaAsP層と、該InGaAsP層の上面に配設したn型InP層3aとから構成する。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74459]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柿本 昇一. 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法. JP1993299772A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。