半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 藤井 克司; 長尾 哲; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326945A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 再成長界面で電流注入時に通過抵抗を増大させるような高抵抗層の発生を防ぎ、かつ素子の信頼性を大幅に向上する。 【解決手段】 基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層及び電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第2導電型第1クラッド層上の少なくとも該ストライプ領域に酸化防止層を有することを特徴とする半導体発光装置及び基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、酸化防止層を積層した後、電流が注入されるストライプ領域に、保護膜を用いて第2導電型第2クラッド層を選択成長することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1998-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74461]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,藤井 克司,長尾 哲,等. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1998326945A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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