半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 須山 尚宏; 近藤 雅文; 佐々木 和明; 細田 昌宏; 高橋 向星; 早川 利郎 |
| 发表日期 | 1994-07-27 |
| 专利号 | JP1994056909B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To reduce an oscillation threshold current and an astigmatic difference by specifying the relationship of the widths of the ridges of an emitting end face region and a selfexcited oscillation region, and the relationship of the thicknesses of an optical guide layer and a clad layer in a region except the ridges of the emitting end face region and the self-excited oscillation region. CONSTITUTION:The width W2 of a current injection path 12 of one end face near region 14 and the width W1 of the current injection path 12 of a region 13 except the region satisfy the relationship of 5W1d2. In this case, loss due to the difference of light modes of the self-excited oscillation region 13 and the emitting end face region 14 is almost eliminated. Thus, an astigmatic difference can be reduced whole the oscillation threshold current is maintained small. |
| 公开日期 | 1994-07-27 |
| 申请日期 | 1988-12-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須山 尚宏,近藤 雅文,佐々木 和明,等. 半導体レーザ素子. JP1994056909B2. 1994-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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