半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 国雄; 橋本 忠朗 |
| 发表日期 | 1999-10-29 |
| 专利号 | JP1999298091A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物半導体層において発生する熱を抑え、かつ転位等の欠陥導入を少なくする。 【解決手段】 n型GaAs基板8の上にn型Be1-xMgxSe層9、n型InyGa1-yN層10、n型Ga0.9Al0.1Nクラッド層11、MQW活性層12、p型Ga0.9Al0.1Nクラッド層13、p型GaNコンタクト層14を順次積層する。n型Be1-xMgxSe層9に関しては、xの値が連続的に変化しており、n型GaAs基板8に接する側ではx=1であり、n型InyGa1-yN層10に接する側ではx=0である。また、n型InyGa1-yN層10に関しては、yの値が連続的に変化しており、n型Be1-xMgxSe層9に接する側ではy=1であり、n型Ga0.9Al0.1Nクラッド層11に接する側ではy=0である。 |
| 公开日期 | 1999-10-29 |
| 申请日期 | 1998-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74490]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 国雄,橋本 忠朗. 半導体装置. JP1999298091A. 1999-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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