半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 本多 正治; 庄野 昌幸; 池上 隆俊; 別所 靖之; ▲広▼山 良治; 賀勢 裕之 |
| 发表日期 | 1995-01-24 |
| 专利号 | JP1995022696A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 発振しきい値電流が小さく且つ最高発振温度が大きな半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 n型GaAs基板1と、この基板1の一主面上に形成されたn型クラッド層3と、n型クラッド層3上に形成された引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層5と、この活性層5上に形成されたp型クラッド層5と、を備え、前記基板1の一主面は(100)面から[011]方向に9度〜15度傾斜した面であり、且つ共振器長が150μm以上300μm以下である。 |
| 公开日期 | 1995-01-24 |
| 申请日期 | 1993-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74494]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,庄野 昌幸,池上 隆俊,等. 半導体レーザ素子. JP1995022696A. 1995-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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