半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 秀俊; 福井 二郎 |
| 发表日期 | 1997-09-19 |
| 专利号 | JP1997246663A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発熱領域における基板の厚さを薄く形成した半導体レーザは、ウエハを切断している時にこの部分で破損するという問題があった。 【解決手段】 半導体基板10上に第1クラッド層11、活性層12、第2クラッド層13、コンタクト層14を形成し、その後トレンチ18を設けて半導体レーザを形成すると共に活性層12の直下に位置する基板10の裏側には電極形成用溝19が設けられてなる半導体レーザを製造するに際し、電極形成用溝19とチップ形成用溝20とを同一工程で形成し、最終工程においてチップ形成用溝20に従って基板10をへき開してチップを形成する方法である。 |
| 公开日期 | 1997-09-19 |
| 申请日期 | 1996-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74499]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 秀俊,福井 二郎. 半導体レーザの製造方法. JP1997246663A. 1997-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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