半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章; 穴山 親志; 近藤 真人; 棚橋 俊之 |
| 发表日期 | 1994-03-25 |
| 专利号 | JP1994085385A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置、特に赤色可視光で発光する半導体レーザ装置に関し、バレンスバンド端の不連続部分がなく、ヘテロ界面において電流が拡がることなく、電流電圧特性の優れた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 p-GaAs基板10上にp-AlGaInPクラッド層18とn-AlGaInPクラッド層22によりInGaP活性層20を挟んだダブルヘテロ構造が形成された半導体レーザ装置において、p-GaAs基板10とp-AlGaInPクラッド層18の間に、バレンスバンド端がp-GaAs基板10側において連続し、バンドギャップエネルギがp-AlGaInPクラッド層18側に近付くにしたがって徐々に大きくなる第1グレーデッド中間層28を設ける。 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 申请日期 | 1992-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74510]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,穴山 親志,近藤 真人,等. 半導体レーザ装置. JP1994085385A. 1994-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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