半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 秀明 |
| 发表日期 | 1993-04-09 |
| 专利号 | JP1993090641A |
| 著作权人 | OMRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄構造を有する発光素子において電流阻止層に電流通路領域を形成するための不純物拡散工程で、拡散深さの制御を容易にする。 【構成】 n-GaAs基板2の上にn-AlGaAs下部クラッド層3、p-AlGaAs活性層4、p-AlGaAs上部クラッド層5、n-InGaP電流ブロック層6、p-AlGaAsキャップ層7を順次成長させる。この後、Zn拡散工程によりキャップ層7から上部クラッド層5までZnを拡散させ、p-Zn拡散領域(電流通路領域)8を形成する。ここで、InGaPとAlGaAsでは拡散スピードが4〜12倍異なるため、電流ブロック層6から上部クラッド層5へ拡散が進むと、拡散スピードが1/4〜1/12に低下するので、拡散深さを容易に制御できる。 |
| 公开日期 | 1993-04-09 |
| 申请日期 | 1991-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74512]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OMRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 秀明. 半導体発光素子. JP1993090641A. 1993-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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