半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長谷川 義晃; 辻村 歩; 石橋 明彦; 木戸口 勲; 粂 雅博; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 2001-01-12 |
| 专利号 | JP2001007443A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 III-V族窒化物半導体よりなる半導体発光装置の電流狭窄構造を容易に且つ確実に実現できるようにする。 【解決手段】 サファイアよりなる基板11上に、n型クラッド層14、n型光ガイド層15、多重量子井戸活性層16及びp型光ガイド層17を順次成長させる。その後、p型光ガイド層17上に全面にわたって膜厚が約0.1μmのSiO2 よりなる電流狭窄形成層18Aを堆積する。続いて、電流狭窄形成層18A上に、開口幅が約3μmのストライプ形状で、該ストライプが延びる方向がGaN結晶のほぼ方向となる開口部を持つマスクパターン19Bを形成し、これを用いてウェットエッチングを行なうことにより、電流狭窄形成層18Aから開口部18aを持つ電流狭窄層18Bを形成する。続いて、p型光ガイド層17上に、p型クラッド層20を電流狭窄層18B上にも大きく広がるように成長させる。 |
| 公开日期 | 2001-01-12 |
| 申请日期 | 1999-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74514]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長谷川 義晃,辻村 歩,石橋 明彦,等. 半導体発光装置の製造方法. JP2001007443A. 2001-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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