半導体発光素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 角野 雅芳 |
| 发表日期 | 1997-12-22 |
| 专利号 | JP1997331105A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、発光層にワイドバンドギャップの半導体を用いても、高信頼かつ低電圧動作の新規なII-VI族化合物半導体発光素子あるいはナイトライド系III-V族化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 発光層を含む1層以上の層からなる第1の半導体層が、それぞれ1層以上の層からなる第2の半導体層および第3の半導体層に挟まれて構成される半導体発光素子であって、前記第1の半導体層がII-VI族化合物半導体層であり、前記第2の半導体層および第3の半導体層がIII-V族化合物半導体層であることを特徴とする半導体発光素子。 |
| 公开日期 | 1997-12-22 |
| 申请日期 | 1996-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74518]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野 雅芳. 半導体発光素子とその製造方法. JP1997331105A. 1997-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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