半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩本 浩治 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036491A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 光導波路幅とこれに対するキャリアの注入領域を左右対称にして半導体レーザー等の性能を改善する。 【解決手段】 基板1上に、第1導電型の第1クラッド層2、活性層3、第2導電型の第2下層クラッド層4A、第1導電型の電流狭搾層5、屈折率差形成半導体層6をこの順にエピタキシャル成長させる。次にエッチングにより電流狭搾層5と第2下層クラッド層4Aとの界面に達する所定の幅のストライプ状の開口を形成する。さらに半導体層あるいは上記電流狭搾層5のいづれか一方に対して選択性エッチングによって屈折率差を発生させる半導体層あるいは電流狭搾層の上記開口の幅を拡大する第2のエッチングを行う。次に、屈折率差を発生させる半導体層および電流狭搾層5の開口を通じて上記第2のクラッド層の下層クラッド層に接して第2導電型の第2の上層クラッド層をエピタキシャル成長させる。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩本 浩治. 半導体発光素子の製造方法. JP1997036491A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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