半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 右田 雅人; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-03-25 |
| 专利号 | JP1994085392A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高濃度のp型不純物ドーピングに困難の多いII-VI族半導体を用いた半導体において低抵抗な半導体が得られる材料のみを用いて半導体レーザの形成を可能とする。 【構成】 ZnSSeをp型クラッド層、ZnCdSをnクラッド層として用いる。さらにキャリア閉じ込めを強化するために、活性層近傍のp-ZnSSe層中にZnSTe層、あるいはCdZnSe/ZnSSeの超格子層などの障壁層を形成する。また、活性層中のキャリアの分布を改善するために活性層の一部をp-ZnSSe側に禁制帯が大きくなるように形成する。 【効果】 低抵抗のp型が容易に得られるZnSSeをp型クラッド層として用いながら電子及びホールに対して十分大きな閉じ込め効果を保つことが可能となりII-VI族半導体による室温連続発振が可能となる。 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 申请日期 | 1992-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74524]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,右田 雅人,矢野 振一郎. 半導体レーザ. JP1994085392A. 1994-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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