半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 上山 智; 大仲 清司; 上野山 雄; 鈴木 政勝 |
| 发表日期 | 2001-07-06 |
| 专利号 | JP3206316B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 6方晶特有の利得特性を利用して高性能の半導体レーザを実現する。 【構成】 (0001)サファイア基板1上に、n-AlxGa1-xNクラッド層2、AlyGa1-yN第1光ガイド層3、GaN量子井戸層4、AlyGa1-yN 第2光ガイド層5、p-AlxGa1-xNクラッド層6を連続的に形成する。その後、エッチングによりリッジストライプ7を形成し、SiO2絶縁膜8を堆積した後アノード電極9およびカソード電極10を形成する。ここで量子井戸層4の幅は50Aであり、この量子井戸層4とクラッド層26とのバンドギャップ差は0.35eVである。このレーザの構成で、量子井戸の幅を変えることにより、光学利得の偏光依存性の大きい領域では低しきい値電流の半導体レーザが、単純な構造で実現できる。 |
| 公开日期 | 2001-09-10 |
| 申请日期 | 1994-08-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74528]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山 智,大仲 清司,上野山 雄,等. 半導体レーザ. JP3206316B2. 2001-07-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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