歪量子井戸型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 充 |
| 发表日期 | 1993-10-15 |
| 专利号 | JP1993267784A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 歪量子井戸型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 歪を含んだ量子井戸構造の活性層を有する歪量子井戸型半導体レーザに関し、HH帯とLH帯とを充分分離させて閾値電流密度を低下させた歪量子井戸型半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 井戸層と障壁層からなる量子井戸構造の活性層であって、井戸層の価電子帯頂上が障壁層価電子帯頂上より電子エネルギ的に高い位置にある材料の組み合わせからなる活性層を有するダブルヘテロ接合型の半導体レーザにおいて、当該量子井戸構造の井戸層および障壁層を共に基板結晶およびクラッド層より格子定数の大きな半導体結晶または小さな半導体結晶で形成し、以って当該量子井戸構造全体にヘテロ接合面方向の圧縮歪または引張り歪を付与したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-10-15 |
| 申请日期 | 1992-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74568]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 充. 歪量子井戸型半導体レーザ. JP1993267784A. 1993-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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