半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 東 敏生; 雙田 晴久 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997045991A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、変形多重量子井戸からなる活性層を有するテーパ導波路付半導体レーザの構造に関し、テーパ導波路部での量子井戸の結合を生じないようにして、発振しきい値電流値の低減を図る。 【構成】 活性層が量子井戸からなる半導体レーザにおいて、該活性層、分離形閉じ込め層の厚さが光の出射端面に行くに従い薄くなり、且つバリア層の厚さが一定であるテーパ状導波路構造を有する。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-08-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74576]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東 敏生,雙田 晴久. 半導体レーザ. JP1997045991A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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