半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勲; 大仲 清司; 高森 晃; 黒川 英雄; 白鳥 哲也; 出口 正洋 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022563A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 放熱性の高い半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド膜3004は半導体発光素子3005内の活性層3006の発熱を面内方向に広げて放熱の効率を高める作用を行うもので、1010個/cm2以上の核密度で形成されたものである。1010個/cm2以上の核密度のダイヤモンド膜を実現するために、以下の核発生処理を施した。膜を成長させる基板としてはSiウエハーを使用した。(1)Siウエハー表面の自然酸化膜を、稀フッ酸により除去、(2)Siウエハー表面に、ダイヤモンドの微粒子(粒径0.1μm以下)を分散させた水溶液(500ccに10カラット(約2g)混入)をスピンコート。(3)自然乾燥。以上の処理により、Siウエハー表面にダイヤモンドの微粒子が1010個/cm2ーダーの密度で塗布される。厚みが10μm以下であっても熱伝導率の低下が少ない緻密で平滑なダイヤモンド膜が形成可能となり、放熱特性に優れた半導体発光装置が得られる。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74580]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,大仲 清司,高森 晃,等. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1998022563A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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