半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡 辺 幸 雄 |
| 发表日期 | 2001-01-12 |
| 专利号 | JP2001007390A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 品質が可及的に高い半導体装置を得ることを可能にする。 【解決手段】 第1の半導体層5,10と第2の半導体層23とを直接接着する際に所定の温度で熱処理するとともに第1の半導体層と第2の半導体層との接合部に通電することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-01-12 |
| 申请日期 | 1999-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74618]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡 辺 幸 雄. 半導体装置の製造方法. JP2001007390A. 2001-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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