半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大木 明; 大野 哲一郎 |
| 发表日期 | 1998-07-21 |
| 专利号 | JP1998190151A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半絶縁性のZnSe基板結晶を用いて発光素子を形成する際に、素子抵抗の増加や素子作製プロセスの複雑化を引き起こさない新たな素子構造を提供すること。 【解決手段】 Zn,Cd,Mg及びBeからなる群より選ばれた少なくとも一のII族元素と、S,Se及びTeからなる群より選ばれた少なくとも一のVI族元素とからなるII-VI族化合物半導体を発光層とする半導体発光素子において、基板結晶にZnSeを用い、ZnSe基板結晶と発光層との間に液相エピタキシャル法(LPE法)により成長したZn1-x Mgx S1-y Sey 層(0≦x≦1,0≦y≦1)を配した半導体発光素子。 |
| 公开日期 | 1998-07-21 |
| 申请日期 | 1996-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大木 明,大野 哲一郎. 半導体発光素子. JP1998190151A. 1998-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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