半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀野 和彦 |
| 发表日期 | 1998-02-03 |
| 专利号 | JP1998032367A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ及び製造方法に関し、サファイア基板の劈開を利用して短波長半導体レーザの共振器面を形成する。 【解決手段】 サファイア基板1の主面をd面2にすると共に、出射端面側のサファイア基板1の端面をr面4とし、且つ、GaN系化合物半導体層3の共振器面を{11-20}面5とする。 |
| 公开日期 | 1998-02-03 |
| 申请日期 | 1996-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74636]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀野 和彦. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998032367A. 1998-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。