半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 屋敷 健一郎; 山崎 裕幸; 岩田 普 |
| 发表日期 | 2002-03-08 |
| 专利号 | JP3285079B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 加入者系光通信システムなどに用いる、製作が容易でしきい値電流の小さい半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型の半導体基板11上に、n型3-5族半導体からなる3-5クラッド層12、3-5族半導体からなるストライプ状の活性層13、p型2-6族半導体からなる2-6クラッド層14、金属からなるp電極15とn電極16とを有する。活性層13の両わきは3-5クラッド層12と2-6クラッド層14が接しており2-6/3-5pnヘテロ接合17が形成されている。2-6/3-5pnヘテロ接合17の立ち上がり電圧が活性層13に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少なく、発振しきい値電流が小さい。 |
| 公开日期 | 2002-05-27 |
| 申请日期 | 1997-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74638]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 屋敷 健一郎,山崎 裕幸,岩田 普. 半導体レーザ. JP3285079B2. 2002-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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