半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 八木 克己; 狩野 隆司 |
| 发表日期 | 1996-03-08 |
| 专利号 | JP1996064910A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 転位の発生が防止された半導体発光素子を提供することである。 【構成】 n-SiC基板1上に、n-SiCクラッド層2、In1-x Gax N活性層3およびp-SiCクラッド層4が順に形成される。n-SiC基板1の材料としては、2H-SiC、4H-SiCまたは6H-SiCを用いる。In1-x Gax N活性層3におけるGa組成Xは、In1-x Gax N活性層13のバンドギャップがn-SiCクラッド層12およびp-SiCクラッド層14のバンドギャップよりも小さくなるように設定される。 |
| 公开日期 | 1996-03-08 |
| 申请日期 | 1994-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74644]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 克己,狩野 隆司. 半導体発光素子. JP1996064910A. 1996-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。